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產(chǎn)品中心PID產(chǎn)品臺(tái)式雙面電池PID測(cè)試儀PIDcon bifacial臺(tái)式雙面電池PID測(cè)試儀
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雙面電池問題：
將電池的后側(cè)改為光蓋，被發(fā)現(xiàn)使雙面PERC電池和模塊對(duì)后側(cè)的新型PID敏感，即去極化型PID(PID-p)和腐蝕型PID機(jī)制(PID-c)。
解決方案：
為了測(cè)試電池的這些類型的PID，我們開發(fā)了PIDcon雙面體。它是用溫度、照明和高電壓對(duì)完整的電池進(jìn)行壓力測(cè)試，它可以在兩個(gè)方向上進(jìn)行極化。通過(guò)測(cè)量照明下的IV曲線，可以確定PID的靈敏度。
臺(tái)式雙面電池PID測(cè)試儀應(yīng)用：
太陽(yáng)能電池片PID檢測(cè)
HIT、Topcon 、PERC、AL-BSF、PERC+、雙面PERC、PERT、PERL和IBC太陽(yáng)能電池的研究、生產(chǎn)和質(zhì)量控制。
欲了解更多信息，請(qǐng)?jiān)L問 www.pidcon。。ｃｏｍ 
臺(tái)式雙面電池PID測(cè)試儀PIDcon bifacial的特點(diǎn)：
● 符合IEC62804-TS標(biāo)準(zhǔn)
● 易于使用的臺(tái)式設(shè)備
● 能夠測(cè)量c-Si太陽(yáng)能電池和微型模塊
● 無(wú)需氣候室
● 無(wú)需層壓電池
● 測(cè)量速度:小時(shí)至數(shù)天
● 可測(cè)量參數(shù):分流電阻、功率損耗、電導(dǎo)率、漏電流、濕度、溫度
● 太陽(yáng)能電池可以在以后通過(guò)EL等進(jìn)行研究
● 基于IP的系統(tǒng)允許遠(yuǎn)程操作和技術(shù)支持從世界任何地方
標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)條件:
● 電壓:upto1.5kV
● 溫度:85°C
● 測(cè)試時(shí)間:4hours(typical)
● 干燥條件下，不需要水
類型 受壓 恢復(fù)
PID-s正面 85°C，+1.5 kV 85°C，-1.5 kV
PID-p背面 85°C，+1.5 kV，無(wú)照明 85°C， 暗儲(chǔ)存或光照
PID-c背面 85°C，+1.5 kV， 照明 不可恢復(fù)
層壓 150°C，20min
樣品尺寸 210×210mm
適用于 A PERC,AL-BSF,IBC,PERC+,雙面PERC,p型和n型電池 功率要求 110/230 V AC, 50/60 Hz
資質(zhì)認(rèn)證 根據(jù)ISO9001準(zhǔn)則制造，符合CE標(biāo)準(zhǔn)
參考文獻(xiàn)： cells (1)K. Sporleder, V. Naumann, J. Bauer, S. Richter, A. H?hnel, S. Gro?er, M. Turek, C. Hagendorf, Local corrosion of silicon as root cause for potential induced degradation at the rear side of bifacial PERC solar cells. physica status solidi (RRL)–Rapid Research Letters. 2019, doi 10.1002/pssr.201900163
(2)V. Naumann, K. Ilse, M. Pander, J. Tr?ndle, K. Sporleder, C. Hagendorf, Influence of soiling and moisture ingress on long term PID susceptibility of photovoltaic
modules, AIP Conference Proceedings 2147, 090005 (2019).
(3)K. Sporleder, V. Naumann, J. Bauer, S. Richter, A. H?hnel, S. Gro?er, M. Turek, C. Hagendorf, Root cause analysis on corrosive potential-induced degradation effects at the rear side of bifacial silicon PERC solar cells, Solar Energy Materials and Solar Cells 201, 110062 (2019).
(4)K. Sporleder, V. Naumann, J. Bauer, S. Richter, A. H?hnel, S. Gro?er, M. Turek, C. Hagendorf, Microstructural Analysis of Local Silicon Corrosion of Bifacial Solar Cells
as Root Cause of Potential‐Induced Degradation at the Rear Side, Phys. Status Solidi A (2019), doi:10.1002/pssa.201900334.
(5)K. Sporleder, J. Bauer, S. Gro?er, S. Richter, A. H?hnel, M. Turek, V. Naumann, K. Ilse, C. Hagendorf, Potential-Induced Degradation of Bifacial PERC Solar Cells Under Illumination, IEEE Journal of Photovoltaics 9 (6) 1522-1525, 2019.
(6)K. Sporleder, M. Turek, N. Schüler, V. Naumann, D. Hevisov, C. P?blau, S. Gro?er, H. Schulte-Huxel, J. Bauer, C. Hagendorf, Quick test for reversible and irreversible PID of bifacial PERC solar cells, Solar Energy Materials and Solar Cells 219, 110755, 2021.
(7)K. Sporleder, V. Naumann, J. Bauer, D. Hevisov, M. Turek, and C. Hagendorf, Time-resolved Investigation of Transient Field Effect Passivation States during Potential Induced Degradation and Recovery of Bifacial Silicon Solar Cells , Solar RRL, 2021, accepted.
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